閘極驅動器展妙用 GaN FET功率損耗再削減 - 技術頻道 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


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閘極驅動器展妙用 GaN FET功率損耗再削減

文‧Nathan Schemm 發布日期:2018/08/16

為提升能源使用效率,工業產業已逐漸開始導入GaN FET,以提升設備的整體功率密度;GaN能讓工程師設計以幾兆赫茲運作的高頻應用。不過為了實現高頻應用,能夠以最大限度地減少損耗非常重要,而本文將探討GaN FET驅動器的選擇會如何降低損耗,將設備推向更高頻率的操作領域。

由於卓越的品質因數(FOM),工業產業正廣泛地使用氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)。 GaN能讓工程師設計以幾兆赫茲運作的高頻應用,並將整體功率密度提高至先前無法達到的水準。

在這個速度範圍下,除基本產品規格之外,選擇FET驅動器時仍須適當地考慮特定因素。這些隱藏的參數可能會嚴重影響高速運作加速系統的各種損耗機制的設計。

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