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提升輔助電源效率 SiC MOSFET設計居首功

文‧Christian Felgemacher/Walter Balzarotti 發布日期:2018/08/20

功率轉換系統皆需輔助電源提供12V或24V低電壓電源給閘極驅動器、微控制器、顯示器、感測器及風扇,以確保系統能正常運行,而運用SiC MOSFET及其控制IC,可進一步提升輔助電源效率。本文將介紹如何使用SiC技術,設計高效率的電源解決方案。

每一種功率轉換系統,包括太陽光電變流器、功率驅動裝置、UPS及HVDC等產品,皆需要輔助電源提供12V或24V低電壓電源給閘極驅動器、微控制器、顯示器、感測器及風扇,以確保系統能正常運行。輔助電源則需要從一般工業裝置所使用的三相400/480V AC電源,或太陽光電變流器所使用的高電壓DC電源才能運作。本文將介紹碳化矽(SiC)技術優勢,並如何透過SiC,輕易設計且CP值高的電源解決方案。

圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓需要達到1300V。為了確保安全,需要一定的電壓餘量,因此一般來講至少須要使用額定電壓1500V的產品。當然也可以使用具有同樣額定擊穿電壓的Si MOSFET,但損耗將變大,因此需要昂貴且厚重的散熱器。

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