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ST電隔離柵極驅動器控制SiC電晶體

發布日期:2018/08/20 關鍵字:碳化矽SiCMOSFETIGBT

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics, ST)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體。

STGAP2SCM配備一個主動米勒鉗位專用腳位,提供一個防止半橋架構意外導通的簡便解決方案。在MOSFET關斷狀態時,該腳位可將MOSFET柵極電壓限制在隔離接地電壓,直到下一個真正的導通訊號出現為止。

STGAP2SM具有獨立的導通/關斷輸出,可搭配兩個外部柵極電阻來優化電晶體開關性能。

全系列STGAP2S驅動器標配4A Rail-to-Rail輸出,即使驅動大功率逆變器,也能確保開關操作迅速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內,在高開關頻率下也能達到PWM精確的控制,滿足SiC元件的驅動要求。出色的抗dV/dt共模瞬變干擾能力,使其能夠防止耗能的雜散開關操作。

元件內建1700V電隔離功能,可以降低消費或工業用馬達驅動器、600V或1200V變頻器、DC/DC轉換器、充電器、電焊機、感應爐、不斷電供應系統(Uninterruptible Power Supply, UPS)和功率因數校正(Power-Factor Correction, PFC)控制器的物料成本。

這些產品整合全面的保護功能,其中,欠壓鎖定(Under-Voltage Lockout, UVLO)可在電源電壓過低時保護電源開關。此外,過熱保護和硬體互鎖可以防止半橋電路中的高/低邊交叉導通;待機模式可在節省電源的同時將輸出保持在安全狀態。
 

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