借力超接合面MOSFET　電機驅動應用功率轉換效能增

電機驅動市場，特別是家電市場對系統的效能、尺寸和穩健性的要求越來越高。為滿足市場需求，電源供應商開始針對不同的工作情況提供多種功率開關技術，例如，IGBT和最新的高耐壓超接合面(Super-Junction)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。本文在實際的運作情況下，於一個低功耗電機驅動電路(例如小功率冰箱壓縮機)內測試了基於這兩種功率技術的小型低損耗智慧模壓模組(以意法半導體的SLLIMM-nano為例)，從電熱性能兩個方面對這兩項技術進行了詳細的分析和比較。

家電廠商不斷地尋求更高的產品效能，以符合日益趨嚴的效能法規，達到降低功耗和節省電費的目的。更具體地講，主要需求是降低設備在低負載穩態以及滿載工作狀態下的功率損耗。因此，研發高效能開關，特別是在低電流條件下實現高效能，是達到這個市場需求的關鍵要素，同時也是半導體廠商研發新技術的動力。

因為過去幾年技術改良取得較大進步，電源供應商最新的功率MOSFET技術可以成功地替代變頻電機控制器的IGBT開關，而且在很多應用領域，特別是在低負載工作狀態下是首選的功率開關解決方案。除了持續的效能需求外，整個變頻系統設計還須要優化尺寸、可靠性和開發工作量。為滿足這些多重目標，像是意法半導體的SLLIMM-nano產品家族便新增兩種不同的功率開關技術(圖1)，分別為：