美光轉向電荷捕捉　3D Xpoint暖身時間不多了

由於對未來技術發展路線的看法出現歧異，英特爾(Intel)與美光(Micron)在NAND Flash方面的技術合作將在一年後告終。未來美光的第四代3D NAND Flash將放棄使用浮閘(Floating Gate)技術，轉向電荷捕捉(Charge Trap)。業界常將此事解讀為電荷捕捉技術大獲全勝，成為未來NAND Flash所採用的主流技術，因為目前除了英特爾跟美光之外，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)與海力士(SK Hynix)都已改用電荷捕捉來生產3D NAND Flash。

在半導體的世界裡，一項技術能否成功，供需兩端的規模都是非常重要的因素。美光的NAND Flash產品發展路線決定從浮閘轉向電荷捕捉，正是因為除了英特爾跟美光之外，業內已經沒有其他供應商採用浮閘技術。

由於美光決定轉向，未來還會堅守浮閘技術的NAND Flash供應商將只剩下英特爾。對英特爾來說，這是一個相當不利的情況。一來日後所有的研發費用將必須獨自承擔，二來設備供應鏈業者願意力挺到何種程度，也是個問題。英特爾的設備採購訂單再大，也無法跟三星、東芝、海力士等業者的設備需求總量相比。設備業者在商言商，其NAND Flash相關設備的研發重心必然往電荷捕捉移動，未來還能分配多少資源給浮閘製程所使用的設備，是個大哉問。