溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

2018 年 09 月 27 日
以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

力促LED照明光源成形 GaN高輝度白色光源技術問世

2007 年 03 月 02 日

改善MEMS加速計高壓釜測試弊病 FA改良設計對症下藥

2011 年 01 月 17 日

內建負載狀況分析/保護功能 自我診療電晶體強化物聯網可靠度

2015 年 06 月 01 日

感測器整合拓應用領域  機器人再增十八般武藝

2018 年 05 月 10 日

軟體定義汽車導入Open Source SBOM解鎖聯網汽車軟體資安

2023 年 10 月 11 日

可靠/高效率電源需求水漲船高 48V系統層級應用大開大闔(2)

2024 年 12 月 03 日
前一篇
揮軍臉部辨識市場 歐司朗首款VCSEL產品亮相
下一篇
ST GNSS模組採用Teseo晶片