溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

2018 年 09 月 27 日
以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

了解成本/電流/最大輸出功率 ZigBee RF收發器到位

2008 年 05 月 13 日

起火事故層出不窮 電子產品細部設計漸受重視

2008 年 05 月 14 日

可快速符合新標準 DSP打造智慧電網新樣貌

2012 年 05 月 28 日

防堵高壓電源EMI/相位故障 預穩壓器提升三相電源效能

2015 年 07 月 27 日

有效喚醒HDMI接收端裝置  TMDS時脈偵測方案展妙用

2018 年 03 月 17 日

處理器加快最佳化速度 深度學習運算效能再進化

2017 年 02 月 02 日
前一篇
揮軍臉部辨識市場 歐司朗首款VCSEL產品亮相
下一篇
ST GNSS模組採用Teseo晶片