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開創功率轉換新局面 SiC MOSFET邁入主流市場

文‧Fanny Björk 發布日期:2018/12/29 關鍵字:碳化矽CoolSiCSiSiC蕭特基二極體

碳化矽(SiC)MOSFET的優異技術功能必須搭配適合的成本定位、系統相容性功能、近似於矽的FIT率以及量產能力,才足以成為主流產品。電力系統製造商需在實際商業條件下符合所有上述多項要素,以開創功率轉換的新局面,尤其是以能源效率以及「以更少投入獲得更多產出」為目標的案例。

眾半導體商因應此趨勢推出各種方案,例如英飛凌便展示了CoolSiC MOSFET系列的相應功能集以及搭配的驅動器IC,其支援入門級應用。例如,光電變頻器、不斷電系統(UPS)、驅動器、電池充電基礎設施以及能源儲存解決方案。

在未來,將有越來越多的功率電子應用無法僅倚賴矽(Si)裝置滿足目標需求。由於矽裝置的高動態損耗,因此藉由矽裝置提高功率密度、減少電路板空間、降低元件數量及系統成本,同時提高功率轉換效能,即成為一個相互矛盾的挑戰。為解決此問題,工程師們逐漸開始採用以碳化矽材料為基礎的功率半導體來部署解決方案。

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