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貿澤供貨TI LMG3410R070 GaN功率級產品

發布日期:2019/01/29 關鍵字:GaN氮化鎵IGBT

貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應Texas Instruments(TI)的LMG3410R070 600V 70 mΩ氮化鎵(GaN)功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入與輸出電容,支援高功率密度之電動馬達應用的新型態需求,適合的應用包括工業型與消費型的電源供應器。高效能GaN功率級支援的電流、溫度、電壓和切換頻率皆比矽電晶體更高,同時還可減少多達80%的切換耗損。

貿澤電子所供應的TI LMG3410R070 GaN功率級內建整合式閘極驅動器,具備穩定可靠的保護功能,可提供比矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)更為出色的效能。裝置具有零共源電感、25~100V/ns可由使用者調整的旋轉率,以及適合mHZ作業的20ns傳播延遲。這款穩定的IC具備過電流保護,支援超過150V/ns旋轉率的抗擾性、過熱保護及瞬態過電壓抗擾性,且所有供電軌皆具備過電壓鎖定保護。LMG3410R070功率級採用尺寸小巧的8mm×8mm QFN封裝,無需外部保護元件,對於簡化設計和布局流程很有幫助。

高效能的LMG3410R070很適合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面黏著電容器運作。KC-LINK電容器經過特別設計,具有極低的有效串聯電阻和熱阻,有助裝置承受高頻、高電壓DC連結應用的應力,符合TI LMG3410R070 IC等快速切換半導體的需求。

TI LMG3410R070功率級提供了優異的功率密度,有助於實作Totem Pole PFC之類的高效拓撲,幫助電源供應器縮小多達50%的尺寸。LMG3410R070 IC適合的應用包括多級轉換器、太陽能逆變器、高電壓電池充電器和不斷電系統。

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