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維護7奈米閘極多晶矽移除製程品管 NFET/PFET先進缺陷檢測上場

文‧Ian Tolle/ Michael Daino 發布日期:2019/03/04 關鍵字:FinFET PFET NFET RX

隨著後閘極(Gate-Last)製程的高介電金屬閘極整合方案而出現的幾種需要監控的缺陷類型中,鰭片蝕出被普遍認為是最重要的一種。後閘極製程中,源極和汲極的成型期間,閘極先採用犧牲材料。一旦源極和汲極成型完成,犧牲材料(多晶矽)就會被移除,把空間讓給高介電閘極氧化物和金屬閘極堆疊。

為了僅移除犧牲閘極而不影響源極和汲極,z方向上的氧化物和晶圓平面方向的閘極壁隔層材料被用於保護源極和汲極。如果壁隔層或氧化物介面中存在任何弱點,則源極或汲極就可能在該製程中受到侵蝕。當侵蝕狀況很嚴重並且導致整個源極/汲極被破壞以及鰭式場效電晶體(FinFET)失效時,此一缺陷就被稱為RX孔。優化製程條件以盡量減少或消除PFET和NFET鰭上的RX孔缺陷,是所有後閘極FinFET技術的一致要求。本文將說明針對7奈米技術節點中的這些缺陷類型,而開發實用在線檢測和檢視策略中所應對的挑戰和解決方案。

針對7奈米FinFET的RX孔的監控作業,存在著非常大的挑戰,以下分成兩方面加以說明。

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