借助有限元分析法熱模型 碳化矽MOSFET短路一目了然

2019 年 03 月 11 日
本文的目的是為分析碳化矽MOSFET短路實驗(Short Circuit Tests, SCT)的行為表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,並借助有限元分析法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往

2019 年 08 月 15 日

支援多種傳輸媒介並易於使用 ECHONET走向國際標準

2006 年 05 月 05 日

FSI/BSI各擅勝場 影像感測器成像效能再突破

2010 年 11 月 11 日

整合五大工控通訊介面 IoT閘道器加速智慧工廠建置

2016 年 02 月 04 日

排除多重技術障礙 SiC MOSFET模組設計上手

2022 年 05 月 16 日

固態電池全力克服安全挑戰(2)

2023 年 08 月 07 日
前一篇
確保LTE訊號穩定 基地台天線測試要仔細
下一篇
瑞薩新推出MPU使用64位元Arm Cortex-A57/Cortex-A53