借助有限元分析法熱模型 碳化矽MOSFET短路一目了然

2019 年 03 月 11 日
本文的目的是為分析碳化矽MOSFET短路實驗(Short Circuit Tests, SCT)的行為表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,並借助有限元分析法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
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