借助有限元分析法熱模型 碳化矽MOSFET短路一目了然

2019 年 03 月 11 日
本文的目的是為分析碳化矽MOSFET短路實驗(Short Circuit Tests, SCT)的行為表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,並借助有限元分析法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往

2019 年 08 月 15 日

兼具設計彈性與低功耗效益 可客製微處理器軟核漸風行

2007 年 11 月 22 日

提升新一代視訊應用 視訊轉碼降低資源耗費

2009 年 04 月 06 日

離線式線性定電流驅動器助陣 LED燈管兼顧成本與體積

2013 年 11 月 21 日

可呈現表面深度紋理影像 輪胎3D缺陷檢測準度高

2017 年 12 月 28 日

顯示應用帶動LED微型化 雷射轉移將成大勢所趨

2022 年 11 月 01 日
前一篇
確保LTE訊號穩定 基地台天線測試要仔細
下一篇
瑞薩新推出MPU使用64位元Arm Cortex-A57/Cortex-A53