借助有限元分析法熱模型 碳化矽MOSFET短路一目了然

2019 年 03 月 11 日
本文的目的是為分析碳化矽MOSFET短路實驗(Short Circuit Tests, SCT)的行為表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,並借助有限元分析法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往

2019 年 08 月 15 日

應用領域更加多元 電容式觸控技術漸成氣候

2010 年 07 月 26 日

瞄準高解析度螢幕需求 新數位影像介面鬥法

2012 年 05 月 31 日

使用兩點增益演算法校正 DAC積分非線性誤差銳減

2012 年 05 月 17 日

特定應用可程式設計平台助力 新世代助聽器精巧又省電

2015 年 02 月 23 日

堆疊式CIS故障分析 多管齊下解決CIS異常

2023 年 03 月 16 日
前一篇
確保LTE訊號穩定 基地台天線測試要仔細
下一篇
瑞薩新推出MPU使用64位元Arm Cortex-A57/Cortex-A53