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Power Integrations推出SCALE-iDriver SiC-MOSFET閘極驅動器

發布日期:2019/03/19 關鍵字:Power IntegrationsPISiCMOSFET閘極驅動器

Power Integrations (PI),宣佈推出SIC1182K SCALE-iDriver,這是一款高效率、單通道碳化矽(SiC) MOSFET閘極驅動器,可提供最高的可用峰值輸出閘極電流,而無需外部升壓階段。裝置可設定為支援不同閘極驅動器電壓需求,符合當今 SiC-MOSFET 的需求範圍;主要應用包括 UPS、光電流系統、伺服驅動器、焊接變頻器和電源供應器。

SIC1182K可在125°C的接面溫度下提供高達8A輸出,允許這些裝置支援設計高達幾百千瓦的SiC-MOSFET變頻器,而無需升壓階段。這會產生高系統效率,且可讓客戶僅生產一種設計來涵蓋其不同額定值的整個電源變頻器組合。高達150 kHz的切換頻率支援多種應用。

SCALE-iDriver SIC1182K SiC閘極驅動器採用Power Integrations的高速FluxLink通訊技術,可顯著提升絕緣能力。FluxLink是訊號傳輸的革命性產品,取代了光耦合器和電容或基於矽的解決方案,大幅提高了可靠性並提供了高達1200 V的增強型絕緣。SCALE-iDriver裝置還包含系統關鍵保護功能,例如去飽和監控和電流感應讀數、一次側和二次側欠壓鎖定(UVLO)和進階主動箝位(AAC)。此外,保護電路還提供5微秒內安全關機,可滿足SiC裝置的快速保護需求。SIC1182K SiC閘極驅動器展示出高外部磁場耐受性,採用的封裝提供≥9.5公釐的安規距離和間隔距離,使用的材料具有最高CTI等級CTI600 (IEC60112)。

Power Integrations閘極驅動器產品資深行銷協理Michael Hornkamp表示,碳化矽 MOSFET技術為縮小大小和減輕重量,以及減少電源變頻器系統損失打開了大門。採用FluxLink技術的SCALE-iDriver系列允許利用非常少的外部元件進行安全、低成本變頻器設計,確保功能安全性以及小巧的封裝和最大化的效率。

SCALE-iDriver技術可減少所需的外部元件數並降低BOM;不需要鉭或電解電容器,僅需一個二次側繞組。可以使用雙層 PCB,其可增加設計簡易性、減少元件數並簡化供應鏈管理。Power Integrations的SCALE-iDriver SIC1182K SiC閘極驅動器符合低於1000 V的低壓設備IEC60664-1絕緣配合和IEC61800-5-1電動馬達驅動變頻器法規。UL 1577、5 kVAC/1 分鐘待審中,VDE0884-10 進行中。

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