矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

作者: 林志宏 / 楊東益
2019 年 03 月 28 日
使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世,到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用,數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅,但到了今日,矽材料作為功率元件也接近物理開發極限,而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
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