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發揮長期隔離能力 閘極驅動器功率極限再進化

文‧Bernhard Strzalkowski 發布日期:2019/04/11 關鍵字:MOSFET IGBT 氮化鎵 碳化矽 功率轉換器 逆變器 閘極驅動器

隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改良,以及氮化鎵和碳化矽技術的推出,功率轉換器/逆變器的功率密度也跟著提升。本文將探討藉由對IGBT/MOSFET電源開關進行破壞性檢測,分析閘極驅動器的隔離耐受能力。

本文將探討藉由對IGBT/MOSFET電源開關進行破壞性檢測,分析閘極驅動器的隔離耐受能力。例如,對於像是電動/混合動力車這類高可靠度/高效能應用而言,隔離式閘極驅動器必須確保隔離阻障層(Isolation Barrier)在所有情況下維持完好。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改良,以及氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)技術的推出,現代功率轉換器/逆變器的功率密度也跟著提升。

因此業界需要高整合度的隔離式高強固新型閘極驅動器。由於電氣隔離機制已整合在驅動器晶片內,因此這些驅動器得以小型化。電氣隔離可透過整合型高電壓微變壓器或電容來達成。由於只要出現一次意外的系統故障就可能導致電源開關損壞或爆炸,或甚至整個電源逆變器(Power Inverter)毀損,因此必須針對高功率密度逆變器來評測閘極驅動器在隔離方面的安全性能。這方面的隔離可靠度,必須針對電源切換開關毀壞的最糟狀況來進行測試與驗證。

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