ANSYS完成最新台積電5奈米FinFET製程技術認證 - 產業動態 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:GaN | 5G | USB PD | 自駕車 | 藍牙5

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

ANSYS完成最新台積電5奈米FinFET製程技術認證

發布日期:2019/05/09 關鍵字:台積電ANSYS半導體設計AI應用

台積電和ANSYS透過全新認證和完整半導體設計解決方案,幫助共同客戶滿足新世代行動、網路、5G、人工智慧(AI)、雲端和資料中心應用持續增長的創新需求。

這些尖端應用的進步持續推動電源與熱限制環境中的效能極限。尤其在AI應用部分,包括雲端與邊緣運算的訓練及資料推論,都需要功率更高且功能更強大的高效能處理器。

台積電針對其最新5奈米(nm) FinFET製程技術進行了ANSYS RedHawkTM和ANSYS Totem TM多物理場(multiphysics)解決方案的認證。這些認證包括萃取(extraction)、電源完整性和可靠度、訊號電子遷移(electromigration, EM) 和熱可靠度分析、以及統計EM預算(SEB) 分析。這些認證最佳化行動和高效能運算(HPC)應用,支援台積電最先進製程技術的低耗電解決方案。

台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示,ANSYS解決方案針對台積電領先業界的5奈米FinFET、7奈米、以及7奈米FinFET Plus製程認證,讓共同客戶因應不斷增長的效能、可靠度和電源挑戰更有信心地確認並認證其設計。台積電和ANSYS合作的成果豐碩,主要幫助客戶在尖端AI、資料中心、雲端和行動應用方面等高成長市場獲得成功。

ANSYS總經理John Lee表示,多物理場分析支援7nm及更小的FinFET晶片設計。ANSYS很榮幸能與台積電合作,提供解決方案幫助共同的客戶達成對於電源、效能、晶片面積和可靠度的目標。

研討會專區
熱門文章