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遵循三大基礎功夫 晶背FIB電路修補難度降

文‧王俊興 發布日期:2019/05/12 關鍵字:ICFIBBackside電路修補

隨著摩爾定律,半導體製程從1微米(µm)、0.5微米、0.13微米不斷微縮到奈米(nm)等級,如此先進製程的電路修補,考驗FIB(Focused Ion Beam)實驗室的技術發展及應用能力。特別當製程來到16奈米以下的製程,封裝型式多數為覆晶技術(Flip Chip),因此FIB電路修補就必須從晶片背面(Backside)來執行,整體困難度也隨之增加。

本文將討論先進製程等級及7奈米IC晶背電路修補的難度,以及如何克服。

能夠讓IC樣品在FIB電路修補後,還可以回去做電性測試,是不論怎麼樣的製程都必需要的基礎條件。基於這個前提,本文將會討論三大要點:

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