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採用額外肖特基二極體 有效減少電壓干擾

文‧Frederik Dostal 發布日期:2019/06/11 關鍵字:POL降壓轉換器肖特基二極體MOSFET死區時間ADI

同步降壓轉換器相較非同步開關穩壓器具更高的電壓轉換效率,但也更容易產生干擾。為解決此問題,在MOSFET插入額外的肖特基二極體可以有效地減少此類干擾。

在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高側和低側主動開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想切換開關的此類電路。與使用被動肖特基二極體作為低側開關的架構相比,此類切換開關穩壓器具有多項優勢。主要優勢是電壓轉換效率更高,因為相較於採用被動二極體的情況,低側開關承載電流時的壓降更低。

但是,與非同步開關穩壓器相比,同步降壓轉換器會產生更大的干擾。如果圖1中的兩個理想開關同時導通,即使時間很短,也會發生從輸入電壓對地的短路。這會損壞切換開關,因此,必須確保兩個開關永遠不會同時導通。因此,出於安全考慮,須要在一定時間內保持兩個開關都斷開。

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