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儒卓力提供英飛凌OptiMOS功率MOSFET

發布日期:2019/07/31 關鍵字:英飛凌OptiMOSMOSFET儒卓力

英飛凌的OptiMOS 3和5是同類最佳(BiC)的功率MOSFET,採用節省空間的SuperSO8封裝,與先前型號相比,具有更高的功率密度和穩健性,讓系統成本得以降低,而整體性能也得以提升。客戶可以到儒卓力電子商務平台www.rutronik24.com瞭解有關OptiMOS BiC功率MOSFET的產品資訊。

由於具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外,接面至外殼(Junction to Case (RthJC))之間的低熱阻抗提供了出色的散熱行為,從而降低了滿載運作時的溫度。它提供顯著降低的電壓過衝,讓低反向恢復電荷(Qrr)可以提高系統可靠性,最大限度地減少了對緩衝電路的需求,因此工程成本得以降低,工作量也得以減少。

這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°,有助於在更高工作接面溫度下實現更高的功率,或者在相同的工作接面溫度下具有更長使用壽命的設計。此外,隨著額定溫度的增加,安全操作區域(SAO)亦改善了20%。

這些BiC MOSFET具有出色的性能數據,非常適合電信、伺服器、三相逆變器、低壓驅動器以及D類音訊等應用。英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產品系列包括60V~250V等版本。

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