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英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

發布日期:2019/08/12 關鍵字:進階中點箝位ANPCCoolSiC MOSFET英飛凌

相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化,因此具有更高的功率密度及高達48 kHz的切換頻率,特別適合新一代1500 V太陽能光電和儲能應用的需求。

全新ANPC拓撲支援99%以上的系統效率。比起具有較低切換頻率的裝置,在像是1500 V太陽能串列型變頻器的DC/AC級中實作混合式Easy 2B功率模組,可實現更小的線圈。因此,其重量將遠低於採用全矽組件的相應變頻器。除此之外,使用碳化矽的損耗也小於矽的損耗,如此一來,須排放的熱減少了,也可縮小散熱器的尺寸。整體來說,可打造更精巧外型的變頻器,並節省系統成本。相較於五階拓撲,3階的設計可降低變頻器設計的複雜度。

採用Easy 2B 標準封裝的功率模組具有領先業界的低雜散電感特性。此外,CoolSiC MOSFET晶片的整合式本體二極體可確保低損耗續流功能,無須額外的SiC二極體晶片。NTC溫度感測器有助於監控裝置,PressFIT壓接技術則可縮短生產時的組裝時間。

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