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叫陣英特爾/三星 東芝XL-FLASH亮相強攻記憶體市場

文‧侯冠州 發布日期:2019/08/09 關鍵字:Toshiba MemorySCMDRAMNANDXL-Flash

為進一步擴展記憶體市場版圖與競爭優勢,東芝記憶體(Toshiba Memory)宣布推出全新儲存級記憶體(Storage Class Memory, SCM)解決方案「XL-FLASH」;該方案基於東芝創新的BiCS FLASH 3D flash技術,將為資料中心和企業級儲存提供更低延遲和更高性能,預計於2019年9月送樣,2020年開始量產。

東芝記憶體子公司(Toshiba Memory America)存儲業務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示,借助XL-Flash技術,可為企業伺服器/存儲業者提供更具成本效益、更低延遲的解決方案,彌補DRAM和NAND性能之間的差距,且還為新興技術和行業標準打開了新方向;而該方案無論在成本、性能都具備相當的市場競爭優勢。

據悉,XL-FLASH彌補了DRAM和NAND之間的性能差距。雖然DRAM等解決方案可滿足研科應用所需的傳輸速度,但需要很高的成本。隨著DRAM單位成本限制了其容量的擴展性,新的SCM持久性記憶體解決了密度、成本、性能等問題。

XL-Flash是介於DRAM和NAND快閃記憶體之間的產品,與傳統的DRAM相比,具有更快的速度、更低的延遲和更高的儲存容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署,但未來也將擴展到DRAM產品線上,例如未來行業標準的非易失性雙列直插記憶體模組(NVDIMM)。

該解決方案特點還包括:128Gb Die(2Die、4Die、8Die封裝);4KB Page大小,高效的作業系統的讀寫;16-plane更高效的並行架構;以及快速的讀取頁面和程式設計時間,XL-Flash提供小於5微秒的低讀取延遲,比現有TLC快10倍。

新發布的XL-FLASH具備許多特點。

 

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