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美光開始量產採用1z奈米技術節DRAM

發布日期:2019/08/28 關鍵字:美光DRAMDDR4記憶體

美光科技宣布DRAM擴充的進展,成為首家開始使用1z nm製程技術量產16Gb DDR4產品的記憶體公司。

美光科技技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示,現今擴充DRAM條件變得更加複雜,開發和量產業界最小尺寸的DRAM節點展現了美光世界級的工程和製造能力。率先進入市場讓美光擁有競爭優勢,我們將繼續為廣泛的終端客戶應用提供高價值解決方案。

與上一代1y nm節點相比,美光的1z nm 16Gb DDR4產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時,它也促進美光持續改善其運算DRAM(DDR4)、行動DRAM(LPDDR4)和圖形DRAM(GDDR6)產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言,功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。

美光透過量產16Gb DDR4記憶體解決方案,開始將技術移轉至1z nm。使用更小的節點進行生產帶來多項優勢,包括功耗較上一代8Gb DDR4產品降低約 40%。美光全面的1z nm DDR4產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗,日益增長的需求。

此外,美光也宣佈公司已開始批量出貨基於UFS規範多晶片封裝(uMCP4)的業界最高容量單片16Gb低功率雙倍資料速率4X (LPDDR4X)DRAM。美光的1z nm LPDDR4X和uMCP4滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝,以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。

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