晶片微縮難度高 半導體製程技術日新又新 - 市場話題 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:GaN | 5G | USB PD | 自駕車 | 藍牙5

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

晶片微縮難度高 半導體製程技術日新又新

文‧侯冠州 發布日期:2019/09/05 關鍵字:EUVASML先進製程Lam ResearchKLAAI5G

人工智慧(AI)、自動駕駛、車聯網、5G等應用相繼興起,且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片,10奈米以下的先進製程重要性也與日俱增,同時也成為晶圓代工廠重要獲利來源;台積、三星兩大晶圓代工廠繼實現7奈米之後,皆致力朝5奈米、3奈米發展。然而,半導體製程節點越來越先進,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造,因此,除了晶圓代工廠外,半導體設備商也相繼研發新一代技術。

艾司摩爾(ASML)資深市場策略總監Boudewijn Sluijk(圖1)表示,VR/AR、自動駕駛、5G、大數據及AI等,持續推動半導體產業發展,為滿足各式應用、資料傳輸,以及演算法需求,晶片效能不斷提高的同時,還須降低成本,而極紫外光(EUV)在先進製程中便扮演關鍵的角色。

Sluijk指出,過往採用ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP進行曝光的話,要實現7nm、5nm,須經過許多步驟。例如用ArFi LE4 Patterning需要4個光罩、4次曝光;用ArFi SAQP需要6個光罩、9次曝光,而EUV只需1個光罩、1次曝光(圖2)。採用EUV技術不但可有效簡化製程,加快產品設計時程,也因為曝光次數明顯減少,因而可有效降低成本,滿足晶片設計高效能、低成本的需求,因此,市場對於EUV的需求有增無減。

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
熱門文章