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貿澤供貨TI LMG1210 MOSFET/GaN FET驅動器

發布日期:2019/10/04 關鍵字:貿澤電子TILMG1210GaN半橋驅動器

貿澤電子宣布開始供應德州儀器(TI)旗下LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI領先業界的氮化鎵(GaN)功率產品組合系列的其中一項產品,相較於傳統的矽基選擇,本系列效率更佳,功率密度更高,整體系統尺寸也更小,並特別針對重視速度的功率轉換應用最佳化。

貿澤電子所供應的TI LMG1210是一款50MHz的半橋驅動器,其經過特別設計,能與最高200V的強化模式GaN FET搭配使用。LMG1210的設計能發揮最高效能,實現高效率運作,並具備10ns的超短傳播延遲,優於傳統的矽半橋驅動器。本裝置擁有1 pF的極低切換節點電容,並提供使用者可調整的死區時間控制,可讓設計人員最佳化系統內的死區時間,進而改善效率。

LMG1210提供3.4ns的高側對低側延遲匹配、4ns最小脈衝寬度,同時內建LDO,確保在任何供應電壓下都能維持5V的閘極驅動器電壓。本驅動器亦具備300V/ns以上的共模瞬態抗擾度(CMTI),為業界最高規格之一,實現更高的系統抗雜訊抗擾度。

TI的LMG1210驅動器適合各種應用,包括高速DC/DC轉換器、馬達控制、Class-D音訊放大器、Class-E無線充電、RF封包追蹤,以及其他的電源轉換應用。

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