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Power Integrations交付第一百萬顆基於GaN的InnoSwitch3 IC

發布日期:2019/10/05 關鍵字:Power IntegrationsInnoSwitch 3PowiGaNAnker InnovationsMr. Balakrishnan

Power Integrations宣布推出其第壹百萬顆 InnoSwitch 3切換開關IC,該產品採用了公司的PowiGaN氮化鎵技術。在Anker Innovations深圳總部的一次活動中,Power Integrations 執行長 Balu Balakrishnan 向Anker執行長Steven Yang 展示了第一百萬顆基於GaN的切換開關IC。

採用PowiGaN技術的InnoSwitch3離線CV/CC返馳式切換開關IC在整個負載範圍內的效率高達95%。PowiGaN一次側切換開關的切換損耗和導通損耗非常低,可以在密封式轉換器應用中透過節省空間的InSOP 24D表面接合封裝提供高達100W的功率,且無需散熱器。準諧振InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和 InnoSwitch3-Pro IC將一次側功率切換開關、一次側和二次側控制(兩者之間有安全隔離高速連結(FluxLink))以及二次側SR驅動器與回授電路整合在單一表面接合封裝中。PowiGaN技術的出色切換效能可顯著提高效率,從而實現極小巧的轉換器設計。

Mr. Balakrishnan表示,Anker是小型充電器設計的全球領導廠商,並且曾經是使用搭載PowiGaN技術的InnoSwitch3產品的第一批大批量客戶。我很高興認識到Anker的遠見卓識和卓越的技術,並感謝Mr. Yang為首次成功在大眾市場部署高壓GaN技術做出了重要貢獻。

Mr. Yang補充,透過使用基於PowiGaN的InnoSwitch3 IC,我們能夠提供小型、輕便且實現高功率輸出的USB PD充電器。我們很高興能夠使用這項創新技術來幫助我們實現更快充電的目標。我們相信,這一進步將幫助我們不斷獲得積極的市場反饋和客戶響應。 

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