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專訪蔡司半導體製造技術業務發展總監Thomas Gregorich 全新3D X-ray方案簡化封裝量測

文‧侯冠州 發布日期:2019/10/13 關鍵字:ZEISS620 Versa RepScanSMT3D非破壞性成像解決方案半導體封裝技術

3D封裝為目前半導體產業熱門議題,然而,3D封裝技術的出現,雖說可明顯提升晶片效能,卻也為量測、檢驗帶來新的挑戰。為此,蔡司(ZEISS)近日宣布推出微米解析度3D非破壞性的成像解決方案「Xradia 620 Versa RepScan」,與現有的物理橫切面、2D X-ray及microCT等量測方式相比,能提供更精準的量測結果,以縮短先進封裝的開發與良率學習週期,加速先進IC封裝的上市時程。

蔡司半導體製造技術(SMT)業務發展總監Thomas Gregorich則指出,半導體封裝技術正出現明顯的改變。過去50年來,晶圓廠已將最小的電路板尺寸從微米縮小至奈米,這個轉變部分是透過精密的檢驗與量測系統所達成。不過,現今的技術幾乎已達Dennard微縮定律與摩爾定律的極限,使得產品效能提升的關鍵從晶片轉至IC封裝。

Gregorich進一步解釋,而封裝技術的改變,也連帶影響了封裝量測技術。舉例來說,未來的記憶體與「小晶片(Chiplet)」技術預計將使封裝互連間距降至20微米或更小,使得互連密度達到每平方公厘2,500~10,000 I/O。這類封裝會需要後段製程(BEOL)般的互連密度與晶圓廠級的組裝良率。但是,近50年來IC封裝產業高度倚賴物理橫切面來檢視、量測並定義深埋在內的結構,此方式對這些先進封裝來說並不足夠,因此需要新的檢驗與量測的技術。

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