專訪蔡司半導體製造技術業務發展總監Thomas Gregorich　全新3D X-ray方案簡化封裝量測

3D封裝為目前半導體產業熱門議題，然而，3D封裝技術的出現，雖說可明顯提升晶片效能，卻也為量測、檢驗帶來新的挑戰。為此，蔡司(ZEISS)近日宣布推出微米解析度3D非破壞性的成像解決方案「Xradia 620 Versa RepScan」，與現有的物理橫切面、2D X-ray及microCT等量測方式相比，能提供更精準的量測結果，以縮短先進封裝的開發與良率學習週期，加速先進IC封裝的上市時程。

蔡司半導體製造技術(SMT)業務發展總監Thomas Gregorich則指出，半導體封裝技術正出現明顯的改變。過去50年來，晶圓廠已將最小的電路板尺寸從微米縮小至奈米，這個轉變部分是透過精密的檢驗與量測系統所達成。不過，現今的技術幾乎已達Dennard微縮定律與摩爾定律的極限，使得產品效能提升的關鍵從晶片轉至IC封裝。

Gregorich進一步解釋，而封裝技術的改變，也連帶影響了封裝量測技術。舉例來說，未來的記憶體與「小晶片(Chiplet)」技術預計將使封裝互連間距降至20微米或更小，使得互連密度達到每平方公厘2,500~10,000 I/O。這類封裝會需要後段製程(BEOL)般的互連密度與晶圓廠級的組裝良率。但是，近50年來IC封裝產業高度倚賴物理橫切面來檢視、量測並定義深埋在內的結構，此方式對這些先進封裝來說並不足夠，因此需要新的檢驗與量測的技術。