改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅 - 技術頻道 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:SiC | 機器視覺 | GaN | 5G | 自駕車

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅

發布日期:2019/10/21

能隙半導體SiC材料會引起臨界值電壓變化和漂移現象。透過調整閘極驅動負電壓,可以限制SiC MOSFET臨界值漂移。

近年來,寬能隙半導體碳化矽(SiC)元件得到了廣泛的重視與發展。其中,SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現出不同的特性,當中不可忽視的一環即是SiC MOSFET在長期的閘極電應力下會產生臨界值電壓VGS(th)漂移現象。

本文將闡述如何透過調整閘極驅動的負電壓,來限制SiC MOSFET臨界值漂移的方法。

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
熱門文章