改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅

2019 年 10 月 21 日
能隙半導體SiC材料會引起臨界值電壓變化和漂移現象。透過調整閘極驅動負電壓,可以限制SiC MOSFET臨界值漂移。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

迎接高速封包網路世代 CDMA2000/3.5G殊途同歸

2007 年 04 月 30 日

搶搭WiMAX標準商機列車 RF晶片設計挑戰重重

2007 年 05 月 31 日

可攜式裝置可靠性備受考驗 PCB誘電特性量測顯要

2008 年 02 月 29 日

減少漏加工/混裝/漏檢問題 視覺軟體提升活塞檢測品質

2015 年 10 月 11 日

技術合作是工業物聯網關鍵 互操作性提升IIoT布建效率

2018 年 04 月 15 日

全頻段接收器提升GNSS效能 強化準確度/穩健性/可靠性(1)

2025 年 05 月 29 日
前一篇
專訪達爾全球離散元件產品副總裁唐逸鵬 功率離散元件尤重基本功
下一篇
Level 3瓶頸難突破 Level 4成自駕發展新選項