改善SiC MOSFET電壓漂移 調整閘極驅動負電壓是訣竅

2019 年 10 月 21 日
能隙半導體SiC材料會引起臨界值電壓變化和漂移現象。透過調整閘極驅動負電壓,可以限制SiC MOSFET臨界值漂移。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

MEMS化學蝕刻可減少元件厚度 MEMS麥克風滿足新型手機

2005 年 09 月 08 日

電源:採用標準介面線設計 ADC待機模式延長電池壽命

2005 年 11 月 10 日

FPGA系列講座:Logic Gate Design發展平台(3) 快速型資料正反器設計重點

2006 年 01 月 16 日

PXI數位視訊分析儀助威 高畫質影音測試挑戰迎刃解

2013 年 03 月 18 日

旋鈕調控搭配LED光源 智慧照明實現理想亮度/色溫

2015 年 05 月 04 日

SGP4模型家族結合ML 衛星位置估算要快/要準任君選

2025 年 02 月 05 日
前一篇
專訪達爾全球離散元件產品副總裁唐逸鵬 功率離散元件尤重基本功
下一篇
Level 3瓶頸難突破 Level 4成自駕發展新選項