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留意直流偏差效應 MLCC電容損耗免煩惱

文‧Jurgen Geier 發布日期:2019/11/07 關鍵字:多層陶瓷晶片電容器ESR值TDK直流偏壓MLCC

拜技術極速發展之賜,越來越多的應用採用多層陶瓷晶片電容器(MLCC)。然而,人們在設計中經常忽略一件事,即是直流(DC)偏壓行為會影響2類(Class 2)陶瓷電容器的電容。由於難以理解的原因,這樣的行為可能導致電容超出應用的容差範圍,並可能帶來技術上的問題。不過,此一狀況是有辦法處理的。

多層陶瓷晶片電容器(MLCC)是當今使用最廣泛的陶瓷電容器之一。這並非沒有道理:它們在最大標稱C值和更低ESR值(等效串聯電阻)方面的最佳化十分突出。然而,伴隨而來的是更大的漂移,特別是在直流電壓、溫度和時間方面(圖1)。

現在,2類陶瓷電容器已達到如此高的電容,這將反覆導致其在運作期間的實際電容之誤算。人們通常不知道元件在實際應用中的表現如何,以及它們為什麼在施加電壓時變化如此之大,一個有關的重要電氣參數就是直流偏壓(DC bias)。

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