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格羅方德策略聚焦 未來布局三大重點出列

文‧黃繼寬 發布日期:2019/11/13 關鍵字:FD-SOIRF-SOI先進封裝設計服務

近日格羅方德(GlobalFoundries)在台舉辦年度技術論壇,主題聚焦在12奈米FinFET與絕緣層上覆矽(SOI)製程的特殊應用。自從該公司宣布暫停發展7奈米製程,聚焦12奈米以上及SOI製程之後,該公司除了既有的邏輯晶圓代工業務之外,在射頻(RF)、設計服務跟先進封裝上,也有更多投入,並且將組織調整為車用/工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,顯然退出先進製程的競爭行列,反而讓格羅方德有資源專注在生態系統的培養跟建構上。

格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos(圖)表示,格羅方德雖然宣布退出先進製程的競逐行列,但這不代表公司不再繼續投資未來。事實上,12奈米以上的成熟製程節點,還是有龐大的市場需求跟多樣化的客戶存在,把這個領域耕耘好,還是有很多發展機會。所以,關鍵在於格羅方德是否備妥能滿足這些客戶需求的技術。

格羅方德亞洲區業務開發總裁Americo Lemos表示,SOI等成熟製程,在未來仍將有很龐大的應用潛力。

不管是高效能運算(HPC)或嵌入式物聯網應用,未來市場的需求趨勢其實很明顯--追求更高的能源效率。但現在光靠電路微縮,已不一定能帶來這個效益。從能源效率的角度來看,SOI的表現往往比標準CMOS來得更優異,這也是格羅方德22奈米FDX製程廣獲客戶採用的主要原因。

在這個基礎上,格羅方德將持續投資在12奈米FDX製程上,以滿足客戶對邊緣運算的強勁需求。Lemos認為,由於12奈米FDX的功耗表現可以比其他同業的10奈米FinFET還優異,因此在能源效率更受重視的未來,12奈米FDX會有很長的產品生命週期。

不過,在SOI領域,一些重要的研究機構如CEA-Leti,已經開始研究如何將SOI推向10奈米以下,這是否會影響格羅方德在SOI製程上的領先地位?Lemos認為還不至於。CEA-Leti等SOI技術研發領域的要角,都是格羅方德的長期夥伴,但研究機構的使命是不斷推進科技的極限,商業成功與否則是次要考量,而格羅方德作為一家公司,則必須在商業成功跟帶動科技進步之間取得更好的平衡點。

除了邊緣運算跟高效能運算外,射頻也是SOI一個很重要的應用市場。針對這個應用,格羅方德全球業務資深副總Juan Cordovez補充說,目前RF-SOI已廣泛應用在6GHz以下及毫米波頻段的射頻元件上,有很高的市占率。但格羅方德也在關注寬能隙材料的應用進展,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等,並計畫在時機成熟時切入市場。不過,目前寬能隙材料除了技術上的挑戰外,也有經濟規模不足的問題。

此外,目前半導體業內受到廣泛討論的Chiplet議題,其實格羅方德也有所準備。不過,不像其他同業或IDM業者推出一條龍的作法,格羅方德只有在必要的情況下才會自行開發跟量產,例如基於矽中介層(Si-Interposer)的先進封裝,就會由公司內部來處理。除此之外,對於大多數的先進封裝技術,格羅方德還是傾向於採取前後段合作的模式,由專業封測廠(OSAT)負責。

整體來說,格羅方德退出先進製程的競爭行列,並不意味著公司將就此停下發展腳步。相反的,由於退出先進製程的軍備競賽,公司可以騰出更多資源來發展配套,例如擴大IC設計服務團隊、開發戰略性的先進封裝技術等。同時,在公司組織上,格羅方德也因應市場變化做了調整,劃分出車用//工業與多重市場、行動與無線基礎建設、運算與有線基礎建設三大部門,以強化團隊戰力。

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