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專訪CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere SOI將成邊緣AI重要推手

文‧黃繼寬 發布日期:2019/11/16 關鍵字:FD-SOIRF-SOI嵌入式NVMFinFET

由於製程微縮導致絕緣層的厚度越來越薄,閘極漏電流成為IC設計團隊所面臨的最棘手問題之一。針對這個問題,改用絕緣層上覆矽(SOI)材料是一種有效的解決方案,但由於支持這條發展路徑的主力晶圓代工廠之一--格芯(GlobalFoundries)已經宣布停止發展先進製程,使得SOI陣營必須更努力推動生態系統的發展。作為SOI材料的發明者,法國研究機構CEA-Leti深知推動SOI生態系統健全發展的重要性,而邊緣AI的發展趨勢,將為SOI技術創造出更大的發揮空間。

CEA-Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere表示,SOI技術有多種衍生型,從適合邏輯電路與類比電路使用的FD-SOI,到適合射頻元件使用的RF-SOI、以及專為功率半導體應用需求開發的Power-SOI, SOI材料的應用涵蓋範圍極大,並獲得意法半導體(ST)、恩智浦(NXP)、格芯和三星(Samsung)等半導體業者採用。

雖然格芯近期已宣布停止發展先進製程技術,但CEA-Leti跟SOI生態圈裡的眾多合作夥伴,還是會持續推動SOI製程微縮,並搭配其他新的技術,如嵌入式非揮發記憶體、3D整合跟新的設計工具,讓SOI繼續往前邁進。

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