SiC MOSFET優勢顯著 車用/馬達電源效率一日千里

作者: Jeffrey Fedison
2019 年 12 月 05 日
隨著傳統矽基MOSFET技術日趨成熟,其正接近性能的理論的極限。寬頻隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。商用矽基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是切換電源的主要功率處理控制元件,被廣泛用於電源、馬達驅動等電路設計。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

降低成本/增加測試彈性 模組化自動測試系統看俏

2009 年 01 月 15 日

借力功率分析儀 802.11ac射頻量測更準確

2012 年 10 月 25 日

兼容訊框相容/MVC技術 3D雙層系統優化視訊傳輸成本

2012 年 11 月 05 日

同步切換多項開關 電源系統揮別差頻現象

2015 年 03 月 14 日

新結構性塑膠PCT橫空出世 撓性混合電子元件製造有解

2019 年 12 月 02 日

先進封裝大行其道 ESD保護更顯重要(1)

2024 年 07 月 19 日
前一篇
ADI推出高整合寬頻RF收發器簡化應用設計
下一篇
加快智慧製造在台實現 IBM打造智慧製造生態圈