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力旺搶攻OLED市場 矽智財導入聯電28奈米HV製程

發布日期:2020/01/27 關鍵字:聯華電子力旺OTPNeoFuse28nmHVOLEDSDDISRAM

聯華電子日前表示,力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程,強攻有機發光二極體(OLED)市場,關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。

力旺業務發展中心副總何明洲表示,繼之前與聯電合作的各高壓製程平台布建力旺的各式解決方案,很開心可與聯電進一步在28奈米高壓製程合作,因應OLED市場需求。

高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求亦更高,這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上,OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。

28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的的目的。

聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠,其28奈米後閘式(Gate-Last)HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其28奈米高壓製程提供尺寸小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。

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