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高效/節能為王道 功率元件材料/架構/設計翻新

文‧廖專崇 發布日期:2020/01/31 關鍵字:ADAS 自駕車 毫米波雷達 mmWave Radar LiDAR HUD 雙目視覺 Stereo Visual

為實現高效率的電源轉換,新材料和新技術趁勢崛起,如48V供電架構、電源模組、可程式/數位電源及SiC/GaN寬能隙功率元件等,本活動邀集代表性電源技術方案供應業者,深入探討提升電源系統能源轉換效率的設計關鍵。

顯而易見,如何實現高效率的電源轉換已成當務之急,因此,新材料和新技術趁勢崛起,像是48V供電架構、電源模組、可程式/數位電源,及SiC/GaN寬能隙功率半導體等新技術,以達到高功率密度、縮小尺寸、提升能效、減少升溫,甚至可降低系統閒置時所需耗費的電力,壓低能源需求。本活動邀集代表性電源技術方案供應業者,深入探討提升電源系統能源轉換效率的設計關鍵。

半導體技術持續在各領域攻城掠地,羅姆半導體(ROHM)台灣技術中心資深工程師蘇建榮(圖1)表示,業界對電源技術的要求為節能、小型化與寬能隙(Wide BangGap)。由於傳統的矽(Si)已經達到物理極限,需要新的半導體材料以提供更優越的性能表現,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)為最常被提到的兩種新興功率半導體材料,其中碳化矽的矽與碳是1:1比例結合的IV-IV族化合物半導體,在高溫高壓的環境下長晶,熱、化學、機械等特性表現穩定。

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