蔡司Crossbeam Laser FIB-SEM加速半導體封裝失效分析 - 產業動態 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:電源模組 | SiC | 機器視覺 | GaN | 5G

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

蔡司Crossbeam Laser FIB-SEM加速半導體封裝失效分析

發布日期:2020/02/25 關鍵字:蔡司ZEISSGaPCSFIB-SEMTSVs

蔡司(ZEISS)日前宣布推出蔡司Crossbeam Laser,專為指定區域使用的聚焦離子束掃描式電子顯微鏡(FIB-SEM)全新系列解決方案,可大幅提升先進半導體封裝失效分析及製程優化的速度。蔡司Crossbeam Laser系列結合飛秒雷射的速度、鎵離子(Ga+)光束的準確度以及掃描式電子顯微鏡的奈米級影像解析度,為封裝工程師與失效分析師提供最高影像效能及最快速的橫切面解決方案,同時將樣品損壞降至最低。

蔡司製程控制解決方案(PCS)暨蔡司半導體製造技術(Carl Zeiss SMT)負責人Raj Jammy表示,封裝的世界已經來到一個轉折點,單一矽中介層密度接近一百萬個輸入/輸出(I/O),而縮小互聯物已經開始反映在晶圓製造上,且堆疊的情況四處可見,包含在裝置本身裡、在封裝層裡,以及在印刷電路板裡。當一個零件失效時,會讓故障隔離與失效分析更加困難。蔡司Crossbeam Laser系列旨在減輕FA工程師的壓力,在單一儀器內結合速度、精準度與高解析影像,提供在同類機型表現最佳的系列,且在樣品到結果有革命性速度上地進步。

在獨特的架構下,蔡司Crossbeam Laser系列可以快速掃描出深埋的封裝互連物,如銅柱焊錫凸塊與矽穿孔(TSVs),以及裝置的後段製程(BEOL)與前段製程(FEOL)結構,整體過程只需幾分鐘,反觀其它方式則需耗時數小時、甚至數天,同時還能在真空狀況下將影像缺陷降至最低,並依舊維持樣品的品質。除了提供失效分析外,蔡司Crossbeam Laser系列也可協助進行結構分析、架構分析、逆向工程、FIB斷層掃描與穿透式電子顯微鏡(TEM)的樣品準備。

研討會專區
熱門文章