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WD/Kioxia發表BiCS5 3D NAND全面進入百層世代

文‧黃繼寬 發布日期:2020/02/26 關鍵字:快閃記憶體威騰鎧俠美光三星SK海力士英特爾

自三星電子(Samsung Electronics)在2019年第二季發表其第六代V-NAND,將堆疊層數首度拉高到132層後,SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)與英特爾(Intel),均已陸續發表堆疊層數超過100層的3D NAND Flash。近日威騰(WD)與鎧俠(Kioxia)亦發表其BiCS5 NAND Flash,將堆疊層數提升到112層,正式宣告3D NAND Flash的堆疊競賽進入百層世代。

威騰與鎧俠近日宣布,兩家公司已成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5。BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,堆疊層數則提高到112層,能以更低成本提供更大儲存容量,效能與穩定性亦比現有的BiCS4更優異,可滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。

威騰與鎧俠目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC,並預計在2020年下半年就能開始商業化量產,供應採用新技術的消費性產品。未來,BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。

因應BiCS5 NAND Flash顆粒進入量產,下半年威騰與鎧俠的SSD產品線應會有明顯更新。

威騰記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示,隨著下一個十年的到來,如何增加3D NAND容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。該公司利用更先進的多層儲存通孔(Multi-tier Memory Hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。

採用多種新技術與創新製程的BiCS5,是威騰與鎧俠目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、經過最佳化的工程設計流程,及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。BiCS5採用112層垂直堆疊,使每片晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。

BiCS5是由威騰與鎧俠共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

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