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英飛凌CoolSiC MOSFET650 V系列為應用帶來可靠度與效能

發布日期:2020/03/03 關鍵字:英飛凌InfineonSiCMOSFETUPSPFC

英飛凌科技(Infineon)持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合,新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求,包括:伺服器、電信和工業 SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。

英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理 Steffen Metzger 表示,推出這項產品後,英飛凌在 600 V/650 V 電源領域完備矽、碳化矽和氮化鎵型功率半導體產品組合。該公司推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。

CoolSiC MOSFET 650 V導通電阻介於27mΩ至107mΩ,採用常見的TO-247 3腳和TO-247 4腳封裝,有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產品,新的650 V系列亦採用英飛凌先進的溝槽式(Trench)半導體技術,使SiC強大的物理特性能獲得最大的發揮,確保裝置達到優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時,這些裝置具備最高的跨導等級(增益)、4V臨界電壓(Vth)和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到低損耗,和高運作可靠度,同時兼顧全方位效能。

相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案,650 VCoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優勢,例如在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有低導通電阻(RDS(on))與溫度的相依性,散熱特性出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體,擁有低逆復原電荷(Qrr),較效能良好的接面CoolMOS MOSFET降低了約80%。裝置在整流方面的耐用度,有助於輕鬆達到98%的整體系統效率,例如搭配連續傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正(PFC)。

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