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格羅方德嵌入式磁阻記憶體跨過量產里程碑

文‧黃繼寬 發布日期:2020/03/05 關鍵字:MRAMFD-SOIeNVM

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近日宣布,其22nm FD-SOI(22FDX)平台上的嵌入式磁阻記憶體(eMRAM)已投入生產。同時格羅方德正與多家客戶共同合作,計劃於2020年實現多重下線生產。格羅方德樹立業界里程碑,證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階製程節點上是經濟有效的選擇。

格羅方德的eMRAM,讓設計師能夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構,以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢,並作為大容量嵌入式NOR快閃記憶體的替代方案。

格羅方德的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM),已通過五項嚴格的實際迴焊測試,在-40°C到125°C的溫度測試範圍,展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100品質等級二驗證。該解決方案的開發正在進行中,期望可以在明年通過AEC-Q100品質等級一的驗證。

格羅方德汽車與工業多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示,該公司致力於透過穩定、功能多元的解決方案讓FDX平台與眾不同,進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發創新產品。格羅方德的差異化eMRAM,部署在業界最先進的FDX平台上,為易於整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。

格羅方德與設計合作夥伴今起提供客製化設計套件,其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。

eMRAM是一項可擴充的功能,預計將在FinFET和未來的FDX平台上應用,是公司部份進階eNVM的規劃。格羅方德位於德國德勒斯登Fab1的最先進12吋晶圓生產線,將會採用MRAM來支援22FDX的量產。

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