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意法收購Exagan 擴展GaN應用布局

發布日期:2020/03/11 關鍵字:意法STGaNExagan磊晶氮化鎵WBG寬帶隙

意法半導體(ST)日前宣布已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協定。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規畫,意法半導體則將為其部署產品提供支援。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示,意法半導體的碳化矽發展布局具備強大動能,現在該公司正擴大對另一種前景看好之複合材料—氮化鎵的投入,以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權可強化該公司在全球功率半導體市場的地位,同時也是對於GaN長遠規畫、生態系統和業務向前邁出的另一步。這是目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發專案,還有近期宣布與台積電合作專案的另一個成果。

氮化鎵(GaN)屬於寬帶隙(Wide Bandgap, WBG)材料家族,其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步,其效能和功率密度優於矽基電晶體,GaN基板元件節能省電、縮減系統大小,適合各種應用,例如伺服器、電信/工業用功率因數校正和DC/DC轉換器;同時包含電動汽車車載充電器/車規DC-DC轉換器及電源適配器等個人電子應用。

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