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東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗

發布日期:2020/03/16 關鍵字:東芝ToshibaMOSFET開關雜訊溝槽結構馬達驅動

東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB,其適用於汽車的48V設備應用,例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。

這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品,採用該公司的最新一代製程。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝,提供低導通電阻,最大導通電阻為1.92mΩ,與目前的TK160F10N1L相比降低約20%,這有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化,還提供更低的開關雜訊,進而減少設備的EMI。此外,將閾值電壓寬縮小至1V,可以增強並聯時的開關同步性。

其主要特性包括採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET,同時具低導通電阻,於
VGS=10V時,RDS(ON)=1.92mΩ(最大值);此外,亦符合AEC-Q101要求。

而該產品應用領域亦包含汽車設備(負載開關、開關電源和馬達驅動等)。

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