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三星eUFS 3.1進入量產 寫入速度大增三倍

文‧吳心予 發布日期:2020/03/19 關鍵字:Samsung eUFS 3.1 三星

日前三星開始量產用於旗艦手機的512GB 嵌入式快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS)3.1,提高比前一代512GB eUFS 3.0快三倍的寫入速度,突破現階段1GB/s網速的智慧型手機之性能限制。

圖 512GB eUFS 3.1。圖片來源:三星

512GB eUFS 3.1的寫入速度達1,200MB/s,相當於個人電腦SATA硬碟(540MB/s)兩倍、HS-I microSD記憶卡(90MB/s)的10倍,代表使用者在手機上讀取巨大的檔案,如8K影片或數百張大尺寸的照片時不需要緩衝,速度接近筆記型電腦。從舊手機轉移檔案也能節省大量時間,例如100GB的資料在UFS 3.0的手機中需要耗時4分鐘,但eUFS 3.1只要1.5分鐘即可完成資料傳輸。

新款旗艦機除了推出512GB的容量,也有256GB及128GB的規格。三星本月已開始在中國西安啟動量產第五代V-NAND的新產線,已滿足市場上對於旗艦機與高階智慧型手機的記憶體需求。另一方面,三星也計畫將南韓平澤廠的產線從第五代V-NAND轉為量產第六代V-NAND晶片。

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