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東芝推驅動中高電流IGBT/MOSFT光耦合器

發布日期:2020/03/27 關鍵字:東芝ToshibaIGBT光耦合器MOSFETUVLO檢測

東芝(Toshiba)日前推出一款驅動中高電流絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦—TLP5231,其適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。此預驅動光耦內置多種功能,其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品即日起開始出貨。

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩衝器,來控制中高電流IGBT和MOSFET。

目前現有產品需要使用雙極型電晶體構成的緩衝電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩衝器,僅在緩衝器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助於降低功耗。透過改變外部互補MOSFET緩衝器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩衝器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台來滿足系統的功率需求,進而簡化設計。

其他功能包括在檢測到VCE(sat)過流後使用另一個外部N溝道MOSFET控制柵極軟關斷時間;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO檢測,將任意故障訊號輸出到一次側。以上這些現有產品不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕易設計柵極驅動電路。

該產品主要特性包含內建有源時序控制的雙輸出,適用於驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩衝器。當檢測到過流時,透過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間;當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障訊號會輸出到一次側。

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