長江存儲3D NAND技術迎頭趕上 推128層快閃記憶體 - 熱門新聞 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:電源模組 | SiC | 機器視覺 | GaN | 5G

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

長江存儲3D NAND技術迎頭趕上 推128層快閃記憶體

文‧吳心予 發布日期:2020/04/14 關鍵字:長江存儲 快閃記憶體 128-layer 3D NAND

日前長江存儲推出128層QLC 3D NAND快閃記憶體,並已通過多家控制器廠商SSD等終端產品認證。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格NAND晶片X2-9060,以滿足不同應用場景的需求。此128層快閃記憶體系列產品使用Xtacking 2.0架構,優化3D NAND控制電路與儲存單元且提升I/O讀寫性能。

圖 長江存儲推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。來源:長江存儲

截至今年一月,國際記憶體廠商SK海力士及美光皆已推出128層3D NAND Flash,而三星(Samsung)、威騰電子(Western Digital)及鎧俠(Kioxia,原東芝)、長江存儲也都曾在2019年發布128層3D NAND的生產計畫。其中長江存儲位於中國的工廠現已復工,並推出128層QLC 3D NAND Flash快閃記憶體,以及TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,容量分別為1.33Tb與512Gb。

該記憶體所使用的Xtacking 架構,可優化3D NAND的控制電路和儲存單元,在64層TLC產品的儲存密度、I/O性能及可靠性上已有良好表現,而128層的快閃記憶體產品則基於升級後的Xtacking 2.0,I/O讀寫性能方面優於64層TLC產品。長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊(Grace)表示,128 層QLC 版本將率先應用於消費級SSD,並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域,以滿足未來5G 、AI 時代多元化數據的儲存需求。

研討會專區
主題式電子報
熱門文章