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EPC可靠性測試報告表示eGaN元件較矽MOSFET更穩定

發布日期:2020/04/24 關鍵字:eGaNEPC宜普通訊基地台失效性測試

宜普電源轉換公司(EPC)日前發布第十一階段可靠性測試報告,與工程師分享受測元件如何實現優越的現場可靠性的策略—在廣闊測試條件下,採用失效性測試元件(Test-to-fail)的反覆測試方法,進而知道如何構建更穩固的產品以達到應用所需,例如面向全自動駕駛車輛的雷射雷達、LTE通訊基地台、汽車的車頭燈及衛星等應用。

宜普電源轉換公司的首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士表示,氮化鎵(eGaN)元件實現量產已經超過十年。這些元件在實驗室測試及在客戶的量產產品和應用中,都展示出高可靠性。該公司的第十一階段可靠性測試報告旨在繼續實踐的承諾—與工程師分享這十年間所累積的數百萬個元件-小時的測試經驗及五代技術的知識。這些可靠性測試讓該公司進一步瞭解氮化鎵元件在廣闊的應力測試條件下的性能。

失效性測試元件方法是比較數據表上所列出的元件限制值和應用中產品的性能,從而知道元件的工作極限。最重要的是,可以知道元件的固有失效機理,從而找出失效的根本原因。如果知道元件在工作一段時間後的性能、溫度、電氣或機械應力情況,工程師就可以知道該產品在一般工作條件下的實際安全工作壽命。

這個報告共計七個部分,每個部分描述各種不同的失效機理,有包含影響eGaN元件的閘極的固有失效機理、動態導通電阻的固有機理、安全工作區域(SOA)、在短路情況下測試元件至失效、採用專有的測試方法,長期置元件於雷射雷達脈衝應力條件下,測試及分析元件的可靠性、機械力的應力測試,以及元件的現場可靠性。

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