挑戰Mega柱體均勻度/RDL導孔最佳化 ECD製程異質整合多方並進 - 技術頻道 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


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挑戰Mega柱體均勻度/RDL導孔最佳化 ECD製程異質整合多方並進

文‧Bryan Buckalew 發布日期:2020/04/30 關鍵字:ECD FOWLP Lam Research WiF TurboCell SAC SmartDose 銅電化學沉積製程 Mega柱體

PC、汽車、IoT、醫療、行動和機器人,以及機器學習和AR/VR等多樣化應用帶動電子產業的發展。這些看似截然不同的應用,不僅都需要互聯網的功能,而且也都要求更高的效能與可靠性、更低的功耗和成本,以及更小的外型尺寸。多重的需求為異質整合技術帶來共同挑戰,並影響銅電化學沉積(ECD)製程。

為解決包括覆晶晶片、扇入型和扇出型晶圓級封裝(WLP)等現有技術面臨的挑戰,業界已開發多種新興方案,例如高密度扇出型(HDFO)WLP、矽穿孔(TSV)和矽中介層,以及相機影像感測器(CIS)所用的TSV。新的扇出型晶圓級封裝(FOWLP)技術會利用Mega柱體(Megapillar)、細線重新布線層(RDL)、堆疊式RDL或導孔RDL和微凸塊(Microbump)等特徵,為要電鍍這些特徵,需要製程、電鍍化學以及製造設備的全面創新。例如科技廠商科林研發(Lam Research)的SABRE 3D電鍍設備,即是整合這些創新技術的平台,旨在解決與特徵內(Within-feature, WiF)均勻度、共面性、缺陷、可靠度和生產量的相關問題。

Mega柱體是高度為50µm至200µm以上的大直徑銅柱,通常用來連接FOWLP應用中的晶片。像這樣的大型結構需要較長時間進行電鍍。但是要在高溫浴中耗費更長的時間,就需要高完整性的密封,而Lam Research透過SABRE 3D的HDFO唇型油封(Lip Seal)滿足此一需求。

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