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滿足新世代記憶體需求 三星擴建NAND Flash新廠

文‧吳心予 發布日期:2020/06/03 關鍵字:SamsungV-NANDIoTAI5G

三星(Samsung)日前規畫在韓國平澤新建工廠,提升NAND快閃記憶體產能,以滿足市場快速成長的NAND快閃記憶體需求。建廠的工程從2020年五月開始,將為三星2021年量產V-NAND的目標鋪路。

圖 三星日前規畫在韓國平澤新建工廠。來源:三星

三星18年來累積豐富的NAND快閃記憶體技術,而最近一項創新即是去年七月推出第六代的V-NAND 。為了2021年量產V-NAND 的計畫,三星在韓國平澤建造新工廠,專門生產V-NAND。

隨著數位應用普及,三星透過持續投資抓緊商機,其NAND快閃記憶體生產據點從韓國華城、平澤擴張到中國西安,平澤的廠區以新一代的記憶體技術為主軸,設有兩條大規模產線。在人工智慧(AI)、物聯網(IoT)及5G共同開啟工業4.0的趨勢下,新增的產能將會在滿足NAND快閃記憶體的中長期需求方面扮演重要角色。

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