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高良率/可靠度/具磁抗擾性 eMRAM工業/物聯網大顯身手

文‧V.B.Naik/K.Lee/K.Yamane等 發布日期:2020/06/08 關鍵字:MRAM eMRAM LTOL HTOL MTJ eNVM AV IoT AI

近年來,人們對高密度和低功耗嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)技術的興趣日益濃厚,其目標是在新興領域的各種應用,例如自動駕駛汽車(AV)、物聯網(IoT)、還有以數據為中心的人工智慧(AI)應用。有鑑於此,許多半導體產業一直在積極開發嵌入式MRAM(eMRAM)技術,來取代eFlash和SRAM技術。因為它具有出色的耐久性和高數據保留能力,以及超越28nm的低功耗和可擴展性選項。

例如格羅方德先前已由晶圓級測試展示0Mb 22nm FD-SOI eMRAM巨集功能,突顯出sub-ppm BER、數據保留以及從1Mb收集的早期可靠性結果。但是為了保證eMRAM產品的可製造性,最重要的是驗證具有高良率的封裝水準產品的功能性與可靠性。本研究使用先進的磁性穿遂接面(MTJ)堆疊、整合和蝕刻製程,藉由在寬廣的工作溫度範圍(-40至125℃)和ECC-off模式下的封裝水準所取得的產品功能性和可靠性,證明22nm FD-SOI eMRAM的可製造性。

格羅方德的eMRAM產品能夠通過標準的可靠性測試,例如LTOL(168小時),HTOL(500小時),1M的耐久週期和5x回流焊接測試,故障率小於1ppm。此外40Mb eMRAM巨集能夠滿足備用和主動模式下的磁抗擾性要求。

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