宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207)，性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊，包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)，以及多電平高壓轉換器。
EPC2215(8mΩ、162Apulsed)和EPC2207(22mΩ、54Apulsed)的尺寸比前代200V eGaN元件大約縮小50%，而性能卻倍增。EPC2215的導通阻抗降低了33％，但尺寸卻縮小了15倍。其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍，並且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷(QRR)，從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真，以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。
EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示，最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內，實現更高的性能，而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。
EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400V、2.5kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器，適用於資料中心，它使用了全新的200V氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說，氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。
