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EPC新推100V eGaNFET產品 力助車載娛樂/雷達系統革新

發布日期:2020/09/26 關鍵字:EPCeGaNFET宜普MOSFET

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準矽元件相比,這兩款氮化鎵元件的性能更高。

EPC2204的導通電阻降低了25,但尺寸卻縮小了3倍。與基準矽MOSFET元件相比,其閘極電荷(QG)小超過50%,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),進而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真和更高效的同步整流器和馬達控制器。

EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,大家預計最新一代且性能優越的100V eGaN FET的價格更高。但這些最先進的100V電晶體的價格与等效老化元件相近。該公司為設計工程師提供的氮化鎵元件的優勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵元件正在加速替代功率MOSFET元件。

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