Google發表Quantum Echoes演算法 首次在硬體上實現可驗證的量子優勢

Google宣布,其量子運算部門已開發出一款新的量子演算法Quantum Echoes,並搭配其自家量子晶片Willow運行,實現了第一個「可驗證」且超越傳統超級電腦能力的量子運算,據稱速度可達傳統演算法的1.3萬倍。...
2025 年 10 月 23 日

博通發表Tomahawk 6乙太網路交換器 效能再翻倍

博通(Broadcom)正式發表其第三代採用光學共同封裝(CPO)技術的乙太網路交換器Tomahawk 6–Davisson(TH6-Davisson),並已開始向客戶供貨。 TH6-Davisson專為加速AI網路的需求而設計,是業界首款實現102.4兆位元/秒(terabits...
2025 年 10 月 22 日

Arm加入OCP董事會 推動開放AI資料中心標準

Arm近日宣布,該公司與超微(AMD)、NVIDIA一同獲任為開放運算計畫(Open Compute Project, OCP)董事會成員。此舉突顯Arm在推動產業開放與標準化方面的獨特技術領導力,協助塑造新一代人工智慧(AI)資料中心的未來發展。作為OCP董事會的成員,Arm將與Meta、Google、英特爾(Intel)及微軟等領先企業共同在AI 資料中心領域推動開放且可互操作設計的創新。...
2025 年 10 月 21 日

資料中心建構組件開賣 美超微一站式採購布局完成

美超微(Supermicro)宣布,其資料中心建構組件解決方案(Data Center Building Block Solutions, DCBBS)正式上市。這些解決方案作為Supermicro的全新業務線,可讓企業透過單一供應商完成資料中心的完整設計、採購與建置程序,進一步縮短啟動上線時間(Time-to-Online,...
2025 年 10 月 17 日

ADI推出Power Studio統一平台 瞄準AI資料中心百軌級電源設計挑戰

當今電子系統的電源設計正面臨前所未有的複雜度考驗。單一電路板上動輒需要數百個電源軌,電壓域從 400V 逐級降至 3.3V,資料中心機架功率更突破 100 千瓦。面對這樣的設計難題,工程師該如何應對?全球半導體領導廠商...
2025 年 10 月 15 日

企業/產業應用齊步走 宜鼎發表邊緣AI策略雙主軸

憑藉在工控市場累積的深厚基礎及整合能力,宜鼎集團揭示其在邊緣AI時代,扮演應用落地的關鍵基石(Keystone)角色。未來宜鼎將承上啟下、銜接英特爾(Intel)、NVIDIA、高通(Qualcomm)、Axelera...
2025 年 10 月 15 日

效率/良率同步提升 應材推出一站式混和鍵合方案

混合鍵合(Hybrid Bonding)是先進封裝中不可或缺的關鍵技術,但其製程條件要求嚴格,加上鍵合前的電漿處理、水分子膜塗布等步驟,與鍵合製程本身的速度差異巨大,導致生產排程容易出現瓶頸。為簡化混合鍵合製程的複雜度,提高良率與效率,應用材料(Applied...
2025 年 10 月 08 日

高通收購Arduino 加速邊緣技術創新與開發能力

高通(Qualcomm)宣布,已與開源硬體及軟體公司Arduino達成收購協議。此次交易將加速高通推動其策略,透過讓開發人員更容易使用其邊緣技術與產品組合,提升創新與開發能力。這項收購延續高通近期對Edge...
2025 年 10 月 08 日

愛思強等五家公司攜手imec開展12吋氮化鎵功率元件研究

愛思強、格羅方德、美商科磊、新思科技與威科儀器攜手imec共同鎖定12吋晶圓的氮化鎵(GaN)功率元件研究方向,成為首批研究夥伴。該研究方向為imec氮化鎵功率元件產業聯盟計畫(IIAP)的部分,成立目標是開發12吋氮化鎵磊晶成長,以及高壓與低壓氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)製程流程。採用12吋基板不只將能降低氮化鎵元件的製造成本,未來還可以實現更先進功率電子元件的開發,例如用於CPU和GPU的高效低壓負載點(POL)轉換器。...
2025 年 10 月 07 日

研華結盟Edge Impulse 推動邊緣AI快速開發

研華宣布,將與來自矽谷、高通(Qualcomm)旗下的全球領先邊緣AI開發平台商Edge Impulse展開策略合作,並由研華嵌入式事業群總經理張家豪與高通芬蘭RFFE Oy產品管理副總裁Zach Shelby,於美國加州舉辦的Edge...
2025 年 10 月 03 日

imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑

比利時微電子研究中心(imec)在2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議上,發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展,分別是間距為20奈米的導線圖形,包含與鑲嵌金屬化製程相關的13奈米圖形端到端(T2T)關鍵尺寸(CD),以及在20奈米間距下,利用直接金屬蝕刻(Direct...
2025 年 09 月 30 日

法國CEA-Leti團隊發表混合記憶體研究 邊緣AI訓練/推論兩相宜

一組由法國CEA-Leti領導的研究團隊,近期在《自然電子》(Nature Electronics)期刊上發表了一篇重要論文。藉由混和鐵電記憶體和憶阻器兩種記憶體技術,突破了長期以來限制高效邊緣AI訓練的技術瓶頸,讓人工神經網路在本地訓練和推論更加可行。...
2025 年 09 月 26 日