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2018年09月20日星期四

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貿澤供貨Quick Charge 4認證控制器
分類：產業動態
貿澤電子近日開始供應Cypress Semiconductor的EZ-PD CCG3PA USB Type-C與電源供應(PD)控制器。CCG3PA控制器為業界中最早通過Qualcomm Quick Charge 4認證的控制器，支援智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦和行動電源的快速充電。這款高整合度的控制器可降低成本並簡化設計，方便開發新世代的快速充電應用與產品。
海思借力ANSYS推動產品創新
分類：產業動態
透過廣泛運用ANSYS的電源完整性及可靠度分析解決方案，海思半導體(HiSilicon Technologies)，同時也是華為技術有限公司(Huawei Technologies)的全資子公司，將新世代行動、網路、人工智慧及5G產品創新提升到全新的層次。
Bourns低電容TVS二極管保護汽車應用的高速介面
分類：產業動態
美商柏恩(Bourns)進日推出一款全新TVS二極管系列，低電容質只有3p(picofarads)，成為今日汽車、通信線路和工業應用中的高速介面的理想保護元件。Bourns TVS二極管型號CDSOD323-TxxC-DSLQ還提供業界最低質只有1nA(nanoampere)的TVS二極管漏電流，這一點對於客戶來說是非常重要的考慮項目。因為車輛的子系統，例如:物聯網傳感器、娛樂和舒適設備等，因為運作時間非常有限，需全由電池決定。假若使用低漏電流保護元件有助提高電源效率，並可延長運作時間。
Bourns低電容TVS保護汽車應用高速介面
分類：產業動態
美商柏恩(Bourns)進日推出一款全新TVS二極管系列，低電容質只有3p(picofarads)，成為今日汽車、通信線路和工業應用中的高速介面的理想保護元件。Bourns TVS二極管型號CDSOD323-TxxC-DSLQ還提供業界最低質只有1nA(nanoampere)的TVS二極管漏電流，這一點對於客戶來說是非常重要的考慮項目。因為車輛的子系統，例如:物聯網傳感器、娛樂和舒適設備等，因為運作時間非常有限，需全由電池決定。假若使用低漏電流保護元件有助提高電源效率，並可延長運作時間。
ADI發表超低抖動4.5GHz和7.5GHz系列元件
分類：產業動態
亞德諾(ADI)宣佈推出LTC6952/LTC6953/LTC6955和LTC6955-1低抖動、高性能時脈產生和分配元件系列，該系列支援高達7.5GHz的JESD204Bsubclass1時脈應用，非常適合運用於高速資料轉換器時脈，其採用可擴展架構，以提供數千個各具互補SYSREF訊號的同步低抖動時脈。
康耐視推出ESD安全讀碼器
分類：產業動態
康耐視(Cognex)近日宣布推出ESD安全讀碼器產品組合，分別為DataMan 360，150/260，70和50系列固定式讀碼器以及DataMan 8050HD/HDX系列有線型掌上型讀碼器現在提供配備ESD安全外殼的型錄，從而防止靜電放電敏感部件受到損壞。
高壓/大電流電路保護突破　電控/逆變器安全再升級
文．Carlos Castro/James Colby/Stefan Edenharter 分類：技術頻道
伴隨著每一代新汽車的問世，電子系統的數量也在不斷增加。不僅是因為對先進駕駛輔助系統(ADAS)或互聯資訊娛樂系統的需求不斷增長，如今即使是入門級汽車也整合了高端汽車中的先進電子系統，包括安全、遠端資訊處理和互聯。對於這些電子系統，在設計階段的早期就將保護考慮進來是非常重要的。不幸的是，在系統的設計階段，電路保護往往被低估，甚至被忽略了。
貿澤提供Maxim Integrated收發器
分類：產業動態
貿澤電子(Mouser)即日起開始供應Maxim Integrated的MAX22500E和MAX22501E RS-485/RS-422收發器。該兩款收發器的長距離資料傳輸速率為類似裝置的兩倍，能為高需求的動作控制系統、編碼器介面和其他工業控制裝置提高準確性。
Littelfuse宣布新一代瞬態抑制二極體陣列
分類：產業動態
Littelfuse近日宣布新推符合AEC-Q101標準的瞬態抑制二極體陣列系列，該系列產品經過優化，可保護敏感的電信埠避免因靜電放電 (ESD) 和雷擊感應浪湧而受損。 SP4208系列瞬態抑制二極體陣列(SPA二極體)包括了低電容控向二極體和一個(單向保護)或兩個(雙向保護)雪崩擊穿二極體。 該系列產品可安全吸收高達30A浪湧電流和至少±30kV 靜電放電衝擊，而不會出現性能減退。 其具有低負載電容(3.0pF)和高浪湧防護能力，是保護乙太網等電信埠和其他高速資料介面的理想選擇。
安譜隆推出600W功率放大器電晶體
分類：產業動態
安譜隆半導體(Ampleon)近日宣布推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。這是第一款採用該公司最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射頻能量電晶體，該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。其設計用於900至930MHz ISM頻段中的工業加熱連續波(CW)射頻能量應用，該電晶體採用小型陶瓷SOT502封裝，結合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優勢。此舉減少了所需的空間，從而降低了放大器設計的成本。
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