搜尋 SiC 結果 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics

搜尋 SiC 結果 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics

熱門關鍵字：SiC | 機器視覺 | GaN | 5G | 自駕車

首頁

追新聞

懂市場

學技術

查圖表

探商情

瘋研討

找廠商

訂雜誌

白皮書

會員
紅利點數
收藏文章
訂閱電子報

追新聞(92)| 懂市場(43)| 學技術(33)| 查圖表(6)| 探商情(135)

瑞薩電子推單一封裝簡化型數位電源模組

分類：產業動態

瑞薩電子宣布推出新型的單一封裝數位DC/DC PMBus電源模組系列產品。這五顆RAA210xxx簡化型數位電源模組，提供先進的數位遙測與優越性能，而且與瑞薩的類比電源模組同樣易於使用。

瞄準GaN商機　ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術

文．侯冠州分類：熱門新聞

布局氮化鎵(GaN)市場，意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術，以滿足高效能、高功率的應用需求，例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃，製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線，預計2020年前投入運營。

溝槽式設計顯神威　SiC MOSFET效能/耐用度大增

文．Dethard Peters/Thomas Basler/Bernd Zippelius/Thomas Aichinger/Wolfgang Bergner/Romain Esteve/Daniel 分類：技術頻道

目前已證實，即使半導體元件較為昂貴，但太陽能應用的系統成本和UPS系統的運作成本仍可大幅降低。因此，這項技術在未來幾年將逐漸普及於更多應用領域。

雙脈衝測試助力　DCP降MOSFET開關損耗

文．杜志德分類：技術頻道

雖然碳化矽MOSFET的性能和矽MOSFET類似，且驅動非常簡單，但設計者必須特別注意某些方面，以充分利用這些快速開關元件的優勢。由於PCB布局錯誤而產生的寄生電感會嚴重損害MOSFET的開關特性。這些寄生電感加上碳化矽MOSFET的dv/dt和di/dt特性，可以導致一些不良影響，包括MOSFET的開關特性受到嚴重影響，包括電壓和電流過沖，開關損耗增加以及系統不穩定。此外，使用傳統的基於矽IGBT的技術來表徵碳化矽MOSFET的開關特性可能由於測量探針頻寬不足、設備不充分等而導致關於開關損耗的錯誤結論。

ADI推出±0.5%精度監控器

分類：產業動態

Analog Devices(ADI)宣布推出Power by Linear LTC2962-LTC2964系列，該高精準度4通道電壓監控器系列可提高系統電壓裕量和可靠性。低至1V電源操作的ASIC、FPGA、DSP、MCU和MPU架構不能使用精度為1%~2%的傳統電壓監控器，否則會縮減寶貴的系統電壓裕量和縮減剩餘的負載操作電壓範圍。LTC2962系列具有領先的±0.5%重置門檻精度，可放寬對電源的要求，增加系統對瞬變的容限，並支援較低的標準電源，而能大幅降低功耗。LTC2962系列憑藉其高準確度、靈活的1V至5V(或可調)復位門檻和寬廣的操作溫度範圍滿足了網路、電信和汽車應用等多種需求。

駛向安全/潔淨/高效新未來　電動車商機催化技術變革

文．廖專崇分類：市場話題

具備潔淨排放特點的電動車持續成為汽車產業的熱點，根據產業研究報告，2017年全球電動車銷售量正式突破百萬輛，達120萬輛，較2016年大幅成長58%，類似的高度成長在未來幾年將持續。而其發展也將帶動產業鏈的成長，電動車產業鏈涵蓋汽車製造廠、零件供應商及資通訊產業，現在，正是國內廠商切入此一產業鏈的最佳時機。

重組技術組合　格羅方德退出7奈米先進製程競賽

文．侯冠州分類：熱門新聞

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布重要的轉型計畫，未來將依據執行長Tom Caulfield所訂定的發展方向，以高度成長市場客戶為目標，聚焦在供應真正的差異化方案，因此，將無限期暫緩7nm FinFET計畫，重新調整先進FinFET發展藍圖，並依此打造研發團隊。

ADI推超薄µModule穩壓器

分類：產業動態

Analog Devices(ADI)宣布推出Power by Linear LTM4686，該元件為一款雙通道10A或單通道20A超薄降壓型µModule穩壓器，具有PMBus介面，採用16mm×1.9mm×1.82mm LGA封裝。1.82mm的封裝高度使得LTM4686在PC板上可放置於非常靠近其負載(例如FPGA或ASIC)的位置，讓同時兩個扁平封裝元件可共用一個散熱片。超薄型封裝使LTM4686能安裝在PCB的背面，空出正面空間用以放置記憶體和收發器IC等元件，使LTM4686適合高度受限的應用，例如機架安裝的電信交換器和路由器、RAID系統以及測試和量測設備。PMBus介面讓使用者能夠測量和變更電壓、負載電流和溫度等主要電源參數。

提升輔助電源效率　SiC MOSFET設計居首功

文．Christian Felgemacher/Walter Balzarotti 分類：技術頻道

每一種功率轉換系統，包括太陽光電變流器、功率驅動裝置、UPS及HVDC等產品，皆需要輔助電源提供12V或24V低電壓電源給閘極驅動器、微控制器、顯示器、感測器及風扇，以確保系統能正常運行。輔助電源則需要從一般工業裝置所使用的三相400/480V AC電源，或太陽光電變流器所使用的高電壓DC電源才能運作。本文將介紹碳化矽(SiC)技術優勢，並如何透過SiC，輕易設計且CP值高的電源解決方案。

ST電隔離柵極驅動器控制SiC電晶體

分類：產業動態

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics, ST)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體。

《上一頁

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

下一頁

下十頁》

研討會專區

近期研討會精彩回顧

主題式電子報

下載白皮書

熱門文章

熱門點擊編輯推薦