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AI帶動雲端/儲存市場　ASIC晶片需求再攀高峰

文．盧佳柔分類：熱門新聞

人工智慧(AI)的加持進一步推動雲端資料中心、儲存的發展，更刺激大數據資料量爆炸成長。為了改善資料量不斷增加的問題，雲端與儲存業者，如Google、亞馬遜(Amazon)、百度與阿里巴巴，皆希望能藉由客製化ASIC晶片的導入，提升整體伺服器雲端運算效能。

ROHM推1700V全SiC功率模組新品

分類：產業動態

半導體製造商ROHM針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現業界頂級可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」。

ADI降壓型穩壓器縮減高功率密度應用布局面積

分類：產業動態

Analog Devices(ADI)宣布推出Power by Linear LTC3310S，其為一款5V、10A低EMI單晶式同步降壓型轉換器。該元件的固定頻率峰值電流模式架構非常適合要求快速瞬變響應的高降壓比應用。LTC3310S整合熱點迴圈旁路電容的Silent Switcher2架構，得以實現高效率、小布局面積解決方案(在高達5MHz頻率時)及卓越的EMI性能。多相操作可實現多個元件的直接並聯，以提供較高的輸出電流。

ADI高功率µModule穩壓器降低資料中心冷卻需求

分類：產業動態

Analog Devices(ADI)日前發表LTM470 降壓型DC-DC電源穩壓器，進一步擴充其Power by Linear µModule穩壓器系列。該元件兼具同類產品最高功率和用以降低資料中心基礎設施冷卻需求的高能效。新型電源µModule可提供雙路50A或單路100A配置，創新封裝技術使其在伺服器密度增加及資料中心輸送量和運算能力提升時所對系統尺寸和冷卻成本的影響微乎其微。

收購/新品發布　英飛凌強力布局SiC/GaN市場

文．侯冠州分類：熱門新聞

因應節能減碳風潮，寬能隙半導體如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等需求逐漸上揚，商機也跟著加速成長。為搶占市場先機，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)近日動作頻頻，不僅收購位於德國德勒斯登的新創公司Siltectra，獲得其創新冷切割技術(Cold Split)以處理SiC晶圓外，也於2018年德國慕尼黑電子展宣布旗下GaN全新解決方案「CoolGaN 600V增強型HEMT與GaN EiceDRIVER閘極驅動IC」進入量產。

Arm擴大DesignStart計畫加速Linux嵌入式方案設計

分類：產業動態

Arm近日宣布將DesignStart計畫擴展至Cortex-A5 CPU，支援Linux作業系統，協助用戶快速取得公司旗下最低功耗、面積效率最高的應用處理器，加速嵌入式及物聯網方案的創新。

瑞薩電子推單一封裝簡化型數位電源模組

分類：產業動態

瑞薩電子宣布推出新型的單一封裝數位DC/DC PMBus電源模組系列產品。這五顆RAA210xxx簡化型數位電源模組，提供先進的數位遙測與優越性能，而且與瑞薩的類比電源模組同樣易於使用。

瞄準GaN商機　ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術

文．侯冠州分類：熱門新聞

布局氮化鎵(GaN)市場，意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術，以滿足高效能、高功率的應用需求，例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃，製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線，預計2020年前投入運營。

溝槽式設計顯神威　SiC MOSFET效能/耐用度大增

文．Dethard Peters/Thomas Basler/Bernd Zippelius/Thomas Aichinger/Wolfgang Bergner/Romain Esteve/Daniel 分類：技術頻道

目前已證實，即使半導體元件較為昂貴，但太陽能應用的系統成本和UPS系統的運作成本仍可大幅降低。因此，這項技術在未來幾年將逐漸普及於更多應用領域。

雙脈衝測試助力　DCP降MOSFET開關損耗

文．杜志德分類：技術頻道

雖然碳化矽MOSFET的性能和矽MOSFET類似，且驅動非常簡單，但設計者必須特別注意某些方面，以充分利用這些快速開關元件的優勢。由於PCB布局錯誤而產生的寄生電感會嚴重損害MOSFET的開關特性。這些寄生電感加上碳化矽MOSFET的dv/dt和di/dt特性，可以導致一些不良影響，包括MOSFET的開關特性受到嚴重影響，包括電壓和電流過沖，開關損耗增加以及系統不穩定。此外，使用傳統的基於矽IGBT的技術來表徵碳化矽MOSFET的開關特性可能由於測量探針頻寬不足、設備不充分等而導致關於開關損耗的錯誤結論。

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