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2019年12月15日星期日
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瑞薩電子推單一封裝簡化型數位電源模組
分類:產業動態
瑞薩電子宣布推出新型的單一封裝數位DC/DC PMBus電源模組系列產品。這五顆RAA210xxx簡化型數位電源模組,提供先進的數位遙測與優越性能,而且與瑞薩的類比電源模組同樣易於使用。
瞄準GaN商機 ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術
文.侯冠州
分類:熱門新聞
布局氮化鎵(GaN)市場,意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術,以滿足高效能、高功率的應用需求,例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃,製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線,預計2020年前投入運營。
溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增
文.Dethard Peters/Thomas Basler/Bernd Zippelius/Thomas Aichinger/Wolfgang Bergner/Romain Esteve/Daniel
分類:技術頻道
目前已證實,即使半導體元件較為昂貴,但太陽能應用的系統成本和UPS系統的運作成本仍可大幅降低。因此,這項技術在未來幾年將逐漸普及於更多應用領域。
雙脈衝測試助力 DCP降MOSFET開關損耗
文.杜志德
分類:技術頻道
雖然碳化矽MOSFET的性能和矽MOSFET類似,且驅動非常簡單,但設計者必須特別注意某些方面,以充分利用這些快速開關元件的優勢。由於PCB布局錯誤而產生的寄生電感會嚴重損害MOSFET的開關特性。這些寄生電感加上碳化矽MOSFET的dv/dt和di/dt特性,可以導致一些不良影響,包括MOSFET的開關特性受到嚴重影響,包括電壓和電流過沖,開關損耗增加以及系統不穩定。此外,使用傳統的基於矽IGBT的技術來表徵碳化矽MOSFET的開關特性可能由於測量探針頻寬不足、設備不充分等而導致關於開關損耗的錯誤結論。
ADI推出±0.5%精度監控器
分類:產業動態
Analog Devices(ADI)宣布推出Power by Linear LTC2962-LTC2964系列,該高精準度4通道電壓監控器系列可提高系統電壓裕量和可靠性。低至1V電源操作的ASIC、FPGA、DSP、MCU和MPU架構不能使用精度為1%~2%的傳統電壓監控器,否則會縮減寶貴的系統電壓裕量和縮減剩餘的負載操作電壓範圍。LTC2962系列具有領先的±0.5%重置門檻精度,可放寬對電源的要求,增加系統對瞬變的容限,並支援較低的標準電源,而能大幅降低功耗。LTC2962系列憑藉其高準確度、靈活的1V至5V(或可調)復位門檻和寬廣的操作溫度範圍滿足了網路、電信和汽車應用等多種需求。
駛向安全/潔淨/高效新未來 電動車商機催化技術變革
文.廖專崇
分類:市場話題
具備潔淨排放特點的電動車持續成為汽車產業的熱點,根據產業研究報告,2017年全球電動車銷售量正式突破百萬輛,達120萬輛,較2016年大幅成長58%,類似的高度成長在未來幾年將持續。而其發展也將帶動產業鏈的成長,電動車產業鏈涵蓋汽車製造廠、零件供應商及資通訊產業,現在,正是國內廠商切入此一產業鏈的最佳時機。
重組技術組合 格羅方德退出7奈米先進製程競賽
文.侯冠州
分類:熱門新聞
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布重要的轉型計畫,未來將依據執行長Tom Caulfield所訂定的發展方向,以高度成長市場客戶為目標,聚焦在供應真正的差異化方案,因此,將無限期暫緩7nm FinFET計畫,重新調整先進FinFET發展藍圖,並依此打造研發團隊。
ADI推超薄µModule穩壓器
分類:產業動態
Analog Devices(ADI)宣布推出Power by Linear LTM4686,該元件為一款雙通道10A或單通道20A超薄降壓型µModule穩壓器,具有PMBus介面,採用16mm×1.9mm×1.82mm LGA封裝。1.82mm的封裝高度使得LTM4686在PC板上可放置於非常靠近其負載(例如FPGA或ASIC)的位置,讓同時兩個扁平封裝元件可共用一個散熱片。超薄型封裝使LTM4686能安裝在PCB的背面,空出正面空間用以放置記憶體和收發器IC等元件,使LTM4686適合高度受限的應用,例如機架安裝的電信交換器和路由器、RAID系統以及測試和量測設備。PMBus介面讓使用者能夠測量和變更電壓、負載電流和溫度等主要電源參數。
提升輔助電源效率 SiC MOSFET設計居首功
文.Christian Felgemacher/Walter Balzarotti
分類:技術頻道
每一種功率轉換系統,包括太陽光電變流器、功率驅動裝置、UPS及HVDC等產品,皆需要輔助電源提供12V或24V低電壓電源給閘極驅動器、微控制器、顯示器、感測器及風扇,以確保系統能正常運行。輔助電源則需要從一般工業裝置所使用的三相400/480V AC電源,或太陽光電變流器所使用的高電壓DC電源才能運作。本文將介紹碳化矽(SiC)技術優勢,並如何透過SiC,輕易設計且CP值高的電源解決方案。
ST電隔離柵極驅動器控制SiC電晶體
分類:產業動態
半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics, ST)的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓,能讓使用者選擇獨立的導通/關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能,其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽(SiC)或矽MOSFET和IGBT功率電晶體。
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