此次新研發的系列產品採用4引腳封裝(TO-247-4L)，可充分發揮SiC MOSFET本身的高速開關性能。與傳統3引腳封裝(TO-247N)相比，開關損耗可減少約35%，有助於大幅降低各類應用裝置的功耗。

寬能隙功率半導體(SiC，GaN)具備更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗。採用寬能隙功率元件，能夠使得導通時及切換時的耗損能量降低，讓整體運作功率大幅降低，同時大幅降低設備的體積、重量及價格。為此，寬能隙解決方案備受電源供應業者青睞，且已逐步進入量產階段，終端產品亦已開始銷售。

基於寬能隙材料的功率半導體已經進入商業量產，而相較於主攻高電壓應用市場的碳化矽(SiC)，氮化鎵(GaN)則是在消費類找到應用商機；而為滿足消費性產品對成本、體積、效能的要求，高整合解決方案成為電源元件供應商拓展GaN市場的主要利器，例如Power Integrations近期所推出的InnoSwitch3 AC-DC轉換器IC，其特色便是將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。

目前工業傳動通常採用一般所熟知的矽基IGBT逆變器(Inverter)，但最近開發的碳化矽MOSFET元件，為這個領域另外開闢出全新的可能性，不但每單位面積的導通電阻非常之低，切換效能絕佳，而且跟傳統的矽基續流二極體(FWD)相比，內接二極體關閉時的反向恢復能量仍在可忽略範圍內。考量到幫浦、風扇和伺服驅動等工業傳動都必須持續運轉，利用碳化矽MOSFET便有可能提升能源效率，並大幅降低能耗。本文將以意法半導體(ST)旗下的碳化矽MOSFET產品為例，比較1200 V碳化矽MOSFET和Si IGBT的主要特色，兩者皆採ACEPACK封裝(表1)，同時利用ST的PowerStudio軟體，將雙脈波測試的實驗數據和統計測量結果套用在模擬當中，模擬20kW的工業傳動，並評估每個解決方案每年所耗電力，還有冷卻系統的要求。

相較於傳統三階中點箝位拓撲，進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4晶片組的損耗甜蜜點進行最佳化，因此具有更高的功率密度及高達48 kHz的切換頻率，特別適合新一代1500 V太陽能光電和儲能應用的需求。

為此，汽車充電必須要採取另一種截然不同的全新方法。目前開進充電站或在充電站停留的概念仍有其關聯性，但或許只適用於較長的旅程。更可行的方式，可能是趁電動車停在公司、購物中心或車站時一邊進行充電，確保汽車隨時充了再開。

氮化鎵(GaN)功率半導體可望大發利市。5G、AIoT時代來臨，許多創新技術應用如自駕車、電動車、無線充電、擴增實境(AR)、工業智動化、無人機，甚至5G基地台，對於能源效率的要求將顯著增加。可較現今矽(Si)功率元件實現更高轉換效率的GaN技術，遂成為各界關注焦點，並吸引許多半導體業者爭相投入布局。

碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)是近年來最受矚目的化合物半導體新秀，除了應用在無線通訊之外，這兩種寬能隙材料在功率半導體領域，也有很大的發展潛力。相較於以矽為基礎的超接面場效電晶體(Super Junction MOSFET)或絕緣柵雙極電晶體(IGBT)，GaN跟SiC最大的優勢在於可以實現更高的開關頻率、耐受電壓也更高，使電源系統的效率得以明顯提升。

在人工智慧(AI)、機器學習(ML)的風潮席捲下，運算設備所使用的核心處理器不再定於x86一尊。包含現場可編程閘陣列(FPGA)、繪圖處理器(GPU)乃至各種以安謀(Arm)架構為核心的ASIC處理器，都開始出現在伺服器等資訊產品上。對電源解決方案供應商而言，這些非x86處理器帶來了全新的產品規格需求，創造出新的市場，但也帶來新的考驗。

然而，對製造業應用而言，目前以雲端資料中心為基礎的人工智慧，通常是不符合需求的。在生產現場，絕大多數的控制命令跟判斷，都有很強的即時性，如果要把資料上傳到雲端，在雲端進行推論，再從雲端向現場機台下達控制命令，在時效上往往拖延太久。因此，直接在網路邊緣節點進行推論，將是面向工業應用的人工智慧所實行的主流架構，也就是俗稱的邊緣運算或AIoT(AI+IoT)。