兼具效能與低損耗 新一代SiC二極體優化系統
文.Omar Harmon/Thomas Basler/Fanny Bjork
分類:技術頻道
碳化矽(SiC)肖特基二極體沒有真正的逆復原電荷。因此,藉由1,200V SiC二極體與1,200V矽(Si) IGBT的混合組合,可減少二極體的關斷損耗、大幅降低Si IGBT的開通損耗,以提供更簡單的二階拓撲。上述組合中,SiC二極體的靜態損耗通常會限制Si IGBT/SiC二極體解決方案最佳化的潛力,為克服此限制,全新第五代二極體具較低的正向電壓,其溫度相依性亦可降低靜態損耗。裝置設計與組裝技術的持續創新下,二極體得以持續提升效能、可靠性及成本優勢,藉此更容易實現高效率、可靠性及強大變頻器設計的系統。